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BFP 450 H6327 全國供應商、價格、PDF資料
BFP 450 H6327詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANS RF NPN 4.5V 100MA SOT343
- 系列：-
- 制造商：Infineon Technologies
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：5V
- 頻率_轉換：24GHz
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.25dB @ 1.8GHz
- 增益：15.5dB
- 功率_最大：450mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 50mA，4V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343
- 供應商設備封裝：PG-SOT343-4
- 包裝：剪切帶 (CT)
BFP 450 H6327詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANS RF NPN 4.5V 100MA SOT343
- 系列：-
- 制造商：Infineon Technologies
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：5V
- 頻率_轉換：24GHz
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.25dB @ 1.8GHz
- 增益：15.5dB
- 功率_最大：450mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 50mA，4V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343
- 供應商設備封裝：PG-SOT343-4
- 包裝：Digi-Reel®
BFP 450 H6327詳細規格
- 類別：RF 晶體管 (BJT)
- 描述：TRANS RF NPN 4.5V 100MA SOT343
- 系列：-
- 制造商：Infineon Technologies
- 晶體管類型：NPN
- 電壓_集電極發射極擊穿（最大）：5V
- 頻率_轉換：24GHz
- 噪聲系數（dB典型值0a0頻率）：1.25dB @ 1.8GHz
- 增益：15.5dB
- 功率_最大：450mW
- 在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444：60 @ 50mA，4V
- 電流_集電極333Ic444（最大）：100mA
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SC-82A，SOT-343
- 供應商設備封裝：PG-SOT343-4
- 包裝：帶卷 (TR)
- 溫度 Rohm Semiconductor SOT-665 IC TEMP SENSOR 80DEG C 5-HVSOF
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.47UF 10% 400V
- RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies 4-SMD，扁平引線 TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.6800UF 10% 100V
- 陶瓷 EPCOS Inc 徑向 CAP CER 100PF 100V 5% RADIAL
- 保險絲座 Cooper Bussmann 徑向 FUSEBLOCK 2POS 13/32 X 1 1/2" QC
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 220UF 400V
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 3.0000UF 10% 400VAC
- 溫度 Rohm Semiconductor SOT-665 IC TEMP SENSOR 90DEG C 5-HVSOF
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.2200UF 5% 63V
- 陶瓷 EPCOS Inc 徑向 CAP CER 1000PF 100V 5% RADIAL
- 電容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 220UF 400V
- 保險絲座 Cooper Bussmann FUSE BLOCK 3 POS FOR 13/32X1-1/2
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC REG LDO 10V 1A 8HTSOP-J
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 68NF 10% 400VDC
0755-88291559 
